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I FET - FIELD EFFECT TRANSISTOR

I tre terminali di un FET sono chiamati Gate, Source e Drain. A differenza dei BJT, nei quali il controllo della corrente che scorre tra collettore ed emettitore si attua tramite la corrente di base, nei FET il controllo della corrente che scorre tra source e drain si attua attraverso la tensione tra gate e source (VGS). Allo stesso tempo la corrente di gate può ritenersi trascurabile.

In figura l'analogia idraulica adottata nella pagina introduttiva sui transistor.

analogia rubinetto - FET

Tra source e drain la corrente percorre un canale di unico tipo (semiconduttore N o semiconduttore P). Quindi abbiamo FET a canale N e FET a canale P.

Abbiamo due tecnologie costruttive:
- JFET - Junction Field Effect Transistor;
- MOSFET - Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor;
I MOSFET vengono spesso chiamati semplicemente MOS.

Nei JFET le dimensioni utili del canale vengono variate agendo sulle dimensioni della zona di svuotamento di una giunzione PN tramite la tensione VGS.
simbolo transistor JFET a canale Nsimbolo transistor JFET a canale P
JFET a canale NJFET a canale P

I MOSFET, sia quelli a canale N che quelli a canale P, si suddividono nei tipi "a riempimento" o "ad arricchimento" (enhancement mode MOSFET) e "a svuotamento" (depletion mode MOSFET).
Nel primo tipo il canale non è inizialmente presente, ma viene creato grazie alla tensione VGS. Nel secondo tipo il canale è inizialmente presente e può essere più o meno svuotato dalle cariche elettriche sempre grazie alla tensione VGS. In entrambi i casi, anche se con modalità opposte, si ottiene una regolazione della corrente che scorre nel canale.
simbolo transistor MOS a canale N a riempimentosimbolo transistor MOS a canale P a riempimentosimbolo transistor MOS a canale N a svuotamentosimbolo transistor MOS a canale P a svuotamento
MOS a canale N
a riempimento
MOS a canale P
a riempimento
MOS a canale N
a svuotamento
MOS a canale P
a svuotamento


sicurezza elettrica ing. Vito Barone


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